Передовые мощности Эффективное производство& quot; Минаматская конвенция Организации Объединенных Наций" подписанный 128 странами мира, официально вступил в силу в Китае в августе 2017 года. Соглашение прямо запрещает производство, импорт и экспорт различных ртутьсодержащих продуктов с 2020 года, а производство и продажа традиционных ртутных ламп будут запрещены. . Разработка новых экологически чистых и энергосберегающих твердотельных УФ-источников света для замены широко используемых в настоящее время ртутных УФ-ламп стала насущной потребностью в области стерилизации, дезинфекции и отверждения. Ультрафиолетовые светодиоды на основе полупроводникового материала третьего поколения AlGaN оказывают очевидное убивающее воздействие на бушующий новый коронавирус, который привлек большое внимание из всех слоев общества в стране и за рубежом.
В отличие от зрелых синих светодиодов, материал сердцевины УФ-светодиодов имеет более низкое содержание In и более высокое содержание Al, что делает эпитаксиальный слой высокой плотностью дефектов, низкой концентрацией дырок в материале p-AlGaN, сильным эффектом поляризации и токоведущими проблемами, такими как поскольку несбалансированный суб-транспорт чрезвычайно заметен. Поэтому световая отдача ультрафиолетовых светодиодов все еще намного ниже, чем у зрелых синих светодиодов. Когда длина волны излучения ниже 370 нм, ультрафиолетовый светодиод сталкивается с проблемой внезапного падения световой отдачи, что становится самым большим препятствием, мешающим его высокопроизводительному применению.
В ответ на вышеуказанные проблемы платформа Advanced Materials Platform Института полупроводников Академии наук провинции Гуандун приступила к более систематическим и глубоким техническим исследованиям и разработке УФ-светодиодов в двух аспектах: рост материала и дизайн устройства.
Во-первых, использование технологии управления режимом тонкого роста MOCVD позволило получить высококачественные материалы AlGaN и квантовые ямы AlGaN с высокой внутренней квантовой эффективностью; в то же время исследователи использовали технологию управления поляризационным полем и инженерию энергетических диапазонов, чтобы сократить многоэлементный сплав p-AlInGaN / AlGaN. Периодический сверхрешеточный материал (SPSL) вводится в структуру электронного барьерного слоя (EBL) УФ-светодиодов на основе AlGaN. , и УФ-светодиодные устройства с высокой внутренней квантовой эффективностью.
Результаты показывают, что SPSL-EBL может улучшить характеристики переноса носителей УФ-светодиодных устройств и снизить напряжение включения устройства, так что световая отдача УФ-светодиодных устройств с длиной волны излучения 368 нм может быть увеличена за счет 101,6% по сравнению с традиционной структурой. Это исследование будет выше Исследование и разработка эффективных твердотельных источников УФ-света открывает новый путь.
Некоторые из вышеперечисленных результатов работы были недавно опубликованы в авторитетном международном журнале" Journal of Materials Chemistry C" ;.