которые могут быть разделены на германиевые диоды (трубки Ge) и кремниевые диоды (трубки Si) в соответствии с используемыми полупроводниковыми материалами. Согласно его различным USES, его можно разделить на детекторный диод, диод выпрямителя, стабильный диод, диод переключения и т. Д. В соответствии с основной структурой его можно разделить на точечный диод, поверхностный контактный диод и плоский диод. Точечный диод представляет собой очень тонкое напряжение на поверхности полупроводниковой пластины, которое является ярким и чистым, с импульсным током, прижатым к концу провода, прочно спекается вместе с микросхемой, образуя pn-переход. Из-за точечного контакта допускается только малый ток (не более нескольких десятков миллиампер), который подходит для высокочастотных схем малого тока, таких как обнаружение радиосигналов.
«PN-переход» поверхностного контактного диода больше и позволяет увеличить ток (от нескольких до нескольких десятков), который в основном используется для преобразования переменного тока в цепь постоянного тока «выпрямитель».
Плоский диод - это своего рода специальный кремниевый диод, который может не только пропускать большой ток, но и иметь стабильную и надежную работу, которая используется в переключателях, импульсах и высокочастотных схемах.
Как работают диоды.
Кристаллический диод представляет собой pn-переход, образованный полупроводником p-типа и полупроводником n-типа, образующим слой пространственного заряда по обеим сторонам интерфейса, и построено самосозданное электрическое поле. Когда внешнего напряжения нет, дрейфовый ток, вызванный разницей концентрации носителей между pn-переходом и самонастраивающимся электрическим полем, равен состоянию электрического баланса.
Когда внешнее напряжение смещается, взаимодействие между внешним электрическим полем и самонастраивающимся электрическим полем увеличивает диффузионный ток несущей и вызывает прямой ток.
Когда происходит смещение обратного напряжения, внешнее электрическое поле и самонастраиваемое электрическое поле дополнительно усиливаются, а обратный ток насыщения I0, который не зависит от напряжения обратного смещения, формируется в определенном диапазоне обратного напряжения.
При достаточно высоком обратном напряжении напряженность электрического поля pn-перехода в слое объемного заряда достигает критического значения процесса размножения носителей, создает большое количество пар электронных дырок, создавая большое значение тока обратного пробоя, называемое явлением пробоя диода.
Проводимость диода.
Самой важной характеристикой диода является однонаправленная проводимость. В цепи ток может протекать только от положительного полюса диода, отрицательного оттока. Простые и обратные характеристики диодов демонстрируются простыми экспериментами.