Что такое зенеровский диод?

Зенеровский диод является опорным устройством напряжения, которое использует характеристики обратного смещения легированного положительно-отрицательного (PN) -перехода, состоящего из положительных (P) -типов и отрицательных (N) -типов полупроводниковых материалов. В то время как нормальный диод имеет относительно высокое напряжение обратного пробоя, диод Зенера имеет обратный пробой до 1,2 В постоянного тока (VDC). Зенеровский диод , как и обычный диод , имеет полосу для обозначения катода или отрицательного электрода. При прямом смещении, когда анод положительный, а катод отрицательный, диод Зенера работает как обычный диод .

При обратном смещении нормальный диод остается разомкнутым контуром для широкого диапазона напряжений. Нормальный диод может иметь напряжение обратного пробоя около 160 вольт (V), и это напряжение является общим пиковым уровнем напряжения сети переменного тока напряжением 110 В (VAC). Зенеровский диод имеет гораздо меньшее обратное напряжение. Например, диод Зенера 6,8 В достигнет пробоя и удерживает ток, который позволяет его номинальная мощность. Рассеиваемая мощность в диоде должна составлять примерно половину номинальной мощности для диода .

1-ваттный (W) стабилитрон будет обеспечивать максимум 0,147 ампер (А). Хорошей практикой является то, что половину номинальной мощности необходимо постоянно рассеивать в устройстве; поэтому ток должен быть уменьшен вдвое до 0,0735 А или 73,5 миллиампер (мА). При этом токе 1 W-6.8 V диод будет только теплым. Следует отметить, что этот диод мог бы обеспечить около 70 мА внешней нагрузке при 6,8 В. Это делает этот диод простым регулятором напряжения.

Зенеровский диод может быть подключен к устройству слежения за напряжением, таким как цепь повторителя эмиттера с отрицательным положительным отрицательным (NPN) биполярным переходным транзистором (BJT). Ранее положительный выход был на катоде с обратным смещением, поэтому катод вместо этого был подключен к базе NPN BJT. Последователь эмиттера будет обрабатывать базовое напряжение и использовать его коэффициент усиления, чтобы обеспечить напряжение эмиттера, которое почти такое же, как базовое напряжение - это делает его эмиттерным повторителем. Излучатель BJT будет следовать за напряжением диода, за исключением падения напряжения примерно на 0,7 В кремния от источника до эмиттера, а выход на эмиттере составляет около 6,1 В постоянного тока. Если постоянная перпендикуляра коэффициента усиления в прямом направлении транзистора равна 100, взаимодействие диода и транзистора обеспечивает регулируемое напряжение около 6,1 В постоянного тока от около 0 А до около 6 А.