Популярный язык: P оврага и N, есть большинство и несущая меньшинства, настоящий P как основной носитель является недействительным, а N для электронных, а не электричеством для достижения динамического баланса и при подключении к положительному источнику питания. проводимости, и когда я отвечу на обратную мощность, электрическое поле преодолеет движение тока, закончен, но ток электрического поля в обратном токе будет преодолен. Труба является пробой.
Кристаллический диод представляет собой pn-переход, образованный полупроводником p-типа и полупроводником n-типа, образующим слой пространственного заряда по обеим сторонам интерфейса, и построено самосозданное электрическое поле. Когда внешнего напряжения нет, дрейфовый ток, вызванный разницей концентрации носителей между pn-переходом и самонастраивающимся электрическим полем, равен состоянию электрического баланса. Когда внешнее напряжение смещается, взаимодействие между внешним электрическим полем и самонастраивающимся электрическим полем увеличивает диффузионный ток несущей и вызывает прямой ток. Когда происходит смещение обратного напряжения, внешнее электрическое поле и самонастраиваемое электрическое поле дополнительно усиливаются, а обратный ток насыщения I0, который не зависит от напряжения обратного смещения, формируется в определенном диапазоне обратного напряжения. При достаточно высоком обратном напряжении напряженность электрического поля pn-перехода в слое объемного заряда достигает критического значения процесса размножения носителей, создает большое количество пар электронных дырок, создавая большое значение тока обратного пробоя, называемое явлением пробоя диода
Существует много типов диодов, которые можно разделить на германиевые диоды (трубки Ge) и кремниевые диоды (трубки Si) в соответствии с используемыми полупроводниковыми материалами. В соответствии с его различными ИСПОЛЬЗОВАНИЯ он может быть разделен на детекторный диод, диод выпрямителя, стабильный диод, диод переключателя, изолирующий диод, диод Шоттки, светодиод и т. Д. Согласно основной структуре его можно разделить на точечный контакт диода, поверхностного контактного диода и планарного диода. Точечный диод представляет собой очень тонкое напряжение на поверхности полупроводниковой пластины, которое является ярким и чистым, с импульсным током, прижатым к концу провода, прочно спекается вместе с микросхемой, образуя pn-переход. Из-за точечного контакта допускается только малый ток (не более нескольких десятков миллиампер), который подходит для высокочастотных схем малого тока, таких как обнаружение радиосигналов. «PN-переход» поверхностного контактного диода больше и позволяет увеличить ток (от нескольких до нескольких десятков), который в основном используется для преобразования переменного тока в цепь постоянного тока «выпрямитель». Плоский диод - это своего рода специальный кремниевый диод, который может не только пропускать большой ток, но и иметь стабильную и надежную работу, которая используется в переключателях, импульсах и высокочастотных схемах.