1) обратный ток кремниевого диода намного меньше, чем у германиевого диода. Германиевая трубка является классом мА, а кремниевая трубка - уровнем нА. Это связано с тем, что при той же температуре ge ni примерно на три порядка выше, чем кремний ni, поэтому при той же концентрации легирования кремния Jane, концентрация которой меньше, чем у Jane концентрации германия, поэтому ток обратной насыщения кремниевой трубки очень мал.
2) когда прямое напряжение очень мало, ток диода очень мал, и только после того, как прямое напряжение достигнет определенного числа Ur, ток значительно возрастет. Обычно напряжение Ur называют пороговым напряжением диода, также известным как напряжение мертвой зоны или пороговое напряжение. Пороговое напряжение кремниевого диода больше порогового напряжения германиевого диода, поскольку Is кремниевого диода намного меньше, чем у германиевого диода. Пороговое напряжение общего кремниевого диода составляет около 0,5 В ~ 0,6 В, а пороговое напряжение германиевого диода составляет около 0,1 В ~ 0,2 В.